SK Hynix desarrolla el primer módulo de memoria DDR4 de 128 GB

SK Hynix ha anunciado que ya han logrado desarrollar el primer módulo de memoria del mundo DDR4 de 128 GB (Gigabytes) de capacidad. Esto ha sido posible gracias a la combinación de chips de memoria DDR4 de 8 Gb (Gigabits) fabricados con un proceso de 20 nanómetros, y de la nueva tecnología TSV (Through Silicon Via).

Estos nuevos módulos de memoria tienen una velocidad base de 2133 Mhz, y en teoría son capaces de procesar hasta 17 GB de datos por segundo. Por otro lado, funcionan a solo 1.2 voltios, y como sabéis es inferior al de cualquier módulo DDR3, que como mínimo funcionan a 1.35V. La compañía pretende comenzar la producción en masa de estos módulos de memoria DDR4 para esta misma mitad de año, es decir, antes de Julio.

Según palabras de Sung Joo Hong, vice presidente de la división de RAM de Hynix, “El desarrollo de los primeros módulos de memoria DDR4 de 128 GB del mercado tienen su razón de ser en el mercado de servidores. Por ello, la compañía va a fortalecer su competitividad en la esfera DRAM premium con el desarrollo de estos módulos de alta densidad, alta velocidad y bajo consumo.”